芯片工藝彎道超車 三星宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝

對于半導(dǎo)體行業(yè)的金科玉律，有廠商一直在喊摩爾定律已死，也有廠商不斷給它續(xù)命，期望工藝?yán)^續(xù)更新下去——三星今年6月份搶先量產(chǎn)了3nm工藝，2025年還要量產(chǎn)2nm工藝，現(xiàn)在他們也宣布1.4nm工藝2027年量產(chǎn)了。

三星主管晶圓代工業(yè)務(wù)的社長崔時(shí)榮表示，將基于下一代晶體管結(jié)構(gòu)全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)不斷創(chuàng)新工藝，計(jì)劃2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片生產(chǎn)，2027年實(shí)現(xiàn)1.4nm工藝。

不過三星沒有公布1.4nm工藝的具體細(xì)節(jié)，現(xiàn)在談晶體管密度、性能及功耗還是有點(diǎn)早，不過對三星來說，這是繼3nm搶先量產(chǎn)之后又一次彎道超車的機(jī)會(huì)，畢竟1.4nm量產(chǎn)是他們首個(gè)宣布的。

三星不是唯一一家要量產(chǎn)1.4nm工藝的，臺(tái)積電現(xiàn)在也是3nm建廠量產(chǎn)，2nm在2025年量產(chǎn)，今年年中也組建了團(tuán)隊(duì)攻關(guān)1.4nm工藝，現(xiàn)在是TV0第一階段，主要是確定2nm技術(shù)規(guī)格。

此外，Intel會(huì)在2025年量產(chǎn)20A及18A兩代工藝，相當(dāng)于友商的2nm及1.8nm，雖然不是1.4nm工藝，但三家廠商在2025前后兩年的競爭回很激烈。

量產(chǎn)1.4nm工藝還有個(gè)條件，那就是全面上馬ASML下一代的高NA EUV光刻機(jī)，NA數(shù)值孔徑從目前的0.33提升到0.55，進(jìn)一步提升光刻分辨率，預(yù)計(jì)在2026年開始正式上市，明年會(huì)出貨樣機(jī)給三大客戶。